一、技術(shù)突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設(shè)計(jì)
MDDG03R01G在柵源電壓VGS=10V、漏極電流ID=50A的條件下，其最大導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1.0mΩ。如此低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低器件在工作過程中的功率損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。
此外，該產(chǎn)品具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr，這一特性對于提高開關(guān)頻率、降低開關(guān)損耗至關(guān)重要，有助于實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換和更快速的信號處理。
同時，MDDG03R01G通過了100%UIS測試，確保了產(chǎn)品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
1.導(dǎo)通與動態(tài)特性
低壓驅(qū)動兼容性：在VGS=4.5V,ID=30A時最大導(dǎo)通電阻仍保持1.6mΩ水準(zhǔn)，適配低壓控制電路。
低柵極電荷（Qg=61nC）：減少開關(guān)損耗，支持高頻應(yīng)用（如400kHz LLC拓?fù)洌?br /> 快速開關(guān)響應(yīng)：開啟延遲（td(on)）僅10ns。關(guān)斷延遲（td(off)）71ns
超強(qiáng)電流承載：300A持續(xù)電流（Tc=25℃），1200A脈沖電流，滿足嚴(yán)苛負(fù)載需求。
2、工業(yè)級可靠性
100%UIS測試：單脈沖雪崩能量EAS達(dá)到430.5mJ(VDD=24V,L=0.5mH,IAS=41.5A)時，保障感性負(fù)載安全性。
寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應(yīng)極端環(huán)境。
三、電性曲線圖
1.專為ATX/服務(wù)器/電信電源的同步整流而生
0.75mΩRDS(on)：其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)性能能夠顯著提升電源的轉(zhuǎn)換效率，降低發(fā)熱，延長設(shè)備的使用壽命
低Qrr特性：優(yōu)化LLC諧振拓?fù)湫?，滿載效率提升1.5%
2.工業(yè)電機(jī)驅(qū)動與UPS
300A持續(xù)電流：支持伺服電機(jī)、AGV小車瞬間啟停，耐受1200A脈沖沖擊。
軟恢復(fù)體二極管：反向恢復(fù)時間（trr）82ns，降低EMI干擾。
3.高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器
高頻開關(guān)能力：開啟延遲10ns，關(guān)斷延遲71ns，適配Buck/Boost拓?fù)?。?shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，滿足不同負(fù)載對電源的需求。
PDFN5×6-8L封裝：底部散熱焊盤設(shè)計(jì)，通過大面積銅箔降低熱阻。
除此之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應(yīng)用場景，推出不同的型號，以滿足各行業(yè)匹配需求。
