一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷(xiāo)售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域17載，始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，以客戶(hù)需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)...
型號(hào)多，封裝全，交期快，品質(zhì)好，性?xún)r(jià)高
擁有先進(jìn)的分立器件設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試能力
年產(chǎn)能100億只，工廠(chǎng)直發(fā)
最快當(dāng)天交貨,下單到發(fā)貨最快24小時(shí)完成
15年零退貨
榮獲全球30+認(rèn)證
擁有全球50+項(xiàng)專(zhuān)利發(fā)明
全球500+獎(jiǎng)項(xiàng)榮譽(yù)冠冕
持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢(shì)，全面推動(dòng)產(chǎn)品升級(jí)迭代，提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力，為客戶(hù)提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案
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持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢(shì)，全面推動(dòng)產(chǎn)品升級(jí)迭代，提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力，為客戶(hù)提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案
了解詳情在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)...
在智能家電與電動(dòng)工具快速迭代的今天，高效能與小型化已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)切換等領(lǐng)域。其性能直接影響系統(tǒng)的效率、功耗和可靠性。隨著...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試與銷(xiāo)售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋MOSFET、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)SiC等，打造全品類(lèi)的高可靠性、高性能產(chǎn)品服務(wù)矩陣。 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域，電機(jī)...
一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標(biāo)稱(chēng)值需滿(mǎn)足 IF ≥ 1.5 × I_load（負(fù)載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無(wú)風(fēng)冷）：實(shí)際承載電...
一、熱管理失效：散熱設(shè)計(jì)不足引發(fā)連鎖故障 問(wèn)題表現(xiàn)： 局部過(guò)熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導(dǎo)致結(jié)溫＞85℃（安全閾值），實(shí)測(cè)溫升可達(dá)30℃以上 。 熱應(yīng)力開(kāi)裂：FR...
在功率電子系統(tǒng)中，辰達(dá)的MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶(hù)理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性...
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