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一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標(biāo)稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load（負(fù)載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無風(fēng)冷）：實(shí)際承載電...

一、熱管理失效：散熱設(shè)計(jì)不足引發(fā)連鎖故障 問題表現(xiàn)： 局部過熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導(dǎo)致結(jié)溫＞85℃（安全閾值），實(shí)測溫升可達(dá)30℃以上 。 熱應(yīng)力開裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達(dá)的MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用 開關(guān)功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關(guān)元件，在此過程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開關(guān)頻率決定了變...

在USB PD快充電源設(shè)計(jì)中，辰達(dá)MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn)，對辰達(dá)MOSFET的性能提出了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用挑戰(zhàn)出發(fā)，結(jié)合FAE工程實(shí)踐，分析MOSFET在US...

一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素 開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時(shí)間（tr）、下降時(shí)間（tf）和開關(guān)時(shí)間（ts）來描述。開關(guān)速度越快，MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短，意味著更小的開關(guān)...

在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中，開關(guān)電源（SMPS）因其體積小、效率高、適應(yīng)性強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動工具及新能源汽車等領(lǐng)域。而實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高可靠性的開關(guān)電源設(shè)計(jì)，除了依賴于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與主控芯片的優(yōu)化...

在電源設(shè)計(jì)、逆變器、電機(jī)控制等中高頻率場合中，整流器件的性能對系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)整流二極管（如1N5408、1N4007）雖然成本低、應(yīng)用廣，但在快速切換電路中存在明顯的“遲鈍”問題，表現(xiàn)為反向恢復(fù)時(shí)...

在開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)中，整流器件對系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和熱管理的影響極為關(guān)鍵。相比普通硅整流器件，肖特基整流橋以其低正向壓降、快恢復(fù)特性、低功耗優(yōu)勢，成為高頻開關(guān)電源中日益常見的整流選擇。然而，肖特基整流橋雖然...