MDD辰達(dá)半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔(dān)快速電荷抽空任務(wù),其功耗除正向?qū)〒p耗外,還包含反向恢復(fù)能量;熱設(shè)計(jì)稍有不足,即可能觸發(fā)漸進(jìn)式熱退化甚至災(zāi)難性擊穿。本文從失效癥狀入手,解析熱源構(gòu)成...
在高頻電路中,二極管不僅需要具備快速導(dǎo)通和關(guān)斷特性,還必須在高頻開關(guān)過(guò)程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng),難以滿足高頻應(yīng)用需求,而快恢復(fù)二極管憑借其短反向恢復(fù)時(shí)間和較低的...
一、整流二極管的核心參數(shù)解析:選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流(IF):標(biāo)稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load(負(fù)載電流),且需疊加散熱系數(shù): 自然散熱(無(wú)風(fēng)冷):實(shí)際承載電...
一、熱管理失效:散熱設(shè)計(jì)不足引發(fā)連鎖故障 問(wèn)題表現(xiàn): 局部過(guò)熱:整流二極管(如1N5408)未配置散熱孔或銅箔面積不足,導(dǎo)致結(jié)溫>85℃(安全閾值),實(shí)測(cè)溫升可達(dá)30℃以上 。 熱應(yīng)力開裂:FR...
在功率電子系統(tǒng)中,辰達(dá)的MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性...
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用 開關(guān)功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關(guān)元件,在此過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開關(guān)頻率決定了變...
在USB PD快充電源設(shè)計(jì)中,辰達(dá)MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件,發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn),對(duì)辰達(dá)MOSFET的性能提出了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用挑戰(zhàn)出發(fā),結(jié)合FAE工程實(shí)踐,分析MOSFET在US...
一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素 開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開)和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)和開關(guān)時(shí)間(ts)來(lái)描述。開關(guān)速度越快,MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短,意味著更小的開關(guān)...
在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中,開關(guān)電源(SMPS)因其體積小、效率高、適應(yīng)性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)工具及新能源汽車等領(lǐng)域。而實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高可靠性的開關(guān)電源設(shè)計(jì),除了依賴于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與主控芯片的優(yōu)化...
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